Моделирование dI/dV-характеристик слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме
В работе с применением метода матрицы рассеяния моделированы вольтамперные, dI/dV -, d2I dV2 - характеристики слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме. При расчете транспортных характеристик относительная прозрачность барьера перехода варьировался от 0,059 до 10-4....
Saved in:
| Main Author: | D.M. Sergeyev |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Academician Ye.A. Buketov Karaganda University
2016-06-01
|
| Series: | Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/112 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
О резонансном туннелировании квазичастиц через наноконтакт «алюминий – оксид алюминия – алюминий» при низких температурах
by: D.M. Sergeyev, et al.
Published: (2017-06-01) -
Влияние дефектов Стоуна-Уэльса на электрические характеристики одностенной углеродной нанотрубки (9,0)
by: D.M. Sergeyev
Published: (2018-06-01) -
Об одной модели многократного андреевского отражения в интерфейсе «сверхпроводник – углеродная нанотрубка»
by: Д.М. Сергеев
Published: (2023-11-01) -
О расчете вольт-амперной характеристики сверхпроводящего туннельного перехода на основе матрицы рассеяния при относительной высоте барьера hb=3
by: D.M. Sergeyev, et al.
Published: (2015-12-01) -
Принципы патоморфологической дифференциальной диагностики миелодиспластических синдромов
by: Алла Михайловна Ковригина, et al.
Published: (2015-01-01)