Моделирование dI/dV-характеристик слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме

В работе с применением метода матрицы рассеяния моделированы вольтамперные, dI/dV -, d2I dV2 - характеристики слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме. При расчете транспортных характеристик относительная прозрачность барьера перехода варьировался от 0,059 до 10-4....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: D.M. Sergeyev
Format: Article
Language:English
Published: Academician Ye.A. Buketov Karaganda University 2016-06-01
Series:Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы
Subjects:
Online Access:https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/112
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!