Получение микропористых слоев GaAs методом химического травления на подложках р-GaAs и их фотолюминесценция
Методом химического травления на подложках GaAs(100) и GaAs(111) получены слои микропористого GaAs. Травление подложек проводилось в растворах на основе HF, с HNO3 и Н2О2.в качестве окислителя. При формировании пористой поверхности с использованием HNO3 получены губчатые слои; при использовании Н2О2...
Saved in:
| Main Authors: | G. A. Paschenko, M. Yu. Kravetsky, A. V. Fomin |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2012-02-01
|
| Series: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Online Access: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
Дифрактометрические исследования особенностей формирования слоев GaN на подложках кремния методом МПЭ ПА без использования процедуры нитридизации подложки и промежуточного AlN зародышевого слоя
by: Павел Владимирович Середин, et al.
Published: (2025-06-01) -
Numerical Analysis of AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT
by: A. V. Sapozhnikov, et al.
Published: (2025-07-01) -
Current Density of AlxGa1-xAs/GaAs Superlattice
by: Ahmed Z. Obaid, et al.
Published: (2024-09-01) -
Physicochemical conditions of GaAs/GaAsxNy/GaN nanochips stability
by: N. V. Komarovskih, et al.
Published: (2015-03-01) -
Terahertz Modulation of Even-order Polarization in GaAs
by: Jianhua Sang, et al.
Published: (2025-01-01)