Получение микропористых слоев GaAs методом химического травления на подложках р-GaAs и их фотолюминесценция

Методом химического травления на подложках GaAs(100) и GaAs(111) получены слои микропористого GaAs. Травление подложек проводилось в растворах на основе HF, с HNO3 и Н2О2.в качестве окислителя. При формировании пористой поверхности с использованием HNO3 получены губчатые слои; при использовании Н2О2...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: G. A. Paschenko, M. Yu. Kravetsky, A. V. Fomin
Format: Article
Language:English
Published: Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine 2012-02-01
Series:Хімія, фізика та технологія поверхні
Online Access:https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!