Cristalização de filmes finos de silício amorfo depositados por RF magnetron sputtering após difusão de dopantes

Cristalização de filmes finos de silício amorfo depositados por RF magnetron sputtering após difusão de dopantes

Filmes finos de silício foram depositados usando a técnica de pulverização catódica por magnetron RF (RF magnetron sputtering), com potência elétrica variando de 300 W a 400 W e tempos de processamento de 40 a 90 minutos, a temperatura intrínseca de 100 oC. O objetivo foi investigar a potencial subs...

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Main Authors: Luís da Silva Zambom, Igor Yamamoto Abe, Nelson Ordonez, Ricardo Cardoso Rangel, Ronaldo Domingues Mansano
Format: Article
Language:English
Published: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba 2025-05-01
Series:Revista Principia
Subjects:
cristalização
difusão térmica
filmes finos
silício amorfo
Online Access:https://periodicos.ifpb.edu.br/index.php/principia/article/view/8062
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