Дифрактометрические исследования особенностей формирования слоев GaN на подложках кремния методом МПЭ ПА без использования процедуры нитридизации подложки и промежуточного AlN зародышевого слоя

Дифрактометрические исследования особенностей формирования слоев GaN на подложках кремния методом МПЭ ПА без использования процедуры нитридизации подложки и промежуточного AlN зародышевого слоя

Цель статьи: В работе дано представление о структурных особенностях роста GaN слоев, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках кремния, без использования процедуры нитридизации подложки, а также формирования промежуточного алюминийсодержащего сл...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Павел Владимирович Середин, Ольга Константиновна Кошелева, Дмитрий Леонидович Голощапов, Никита Сергеевич Буйлов, Ярослав Анатольевич Пешков, Андрей Михайлович Мизеров, Сергей Николаевич Тимошнев, Максим Сергеевич Соболев, Шукрилло Шамсидинович Шарофидинов
Format: Article
Language:English
Published: Voronezh State University 2025-06-01
Series:Конденсированные среды и межфазные границы
Subjects:
молекулярно-пучковая эпитаксия
плазменной активацией азота
слои gan
кремниевая подложка
рентгеновская дифракция
релаксированные gan пленки
Online Access:https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/12810/13060
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Internet

https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/12810/13060

Similar Items