Minimização dos efeitos de elementos parasitas em circuitos de Double Pulse Test para GaN HEMT
O presente trabalho busca apresentar pontos críticos existentes no desenvolvimento de protótipos Double Pulse Test (DPT) para caracterização de interruptores de GaN. O estado da arte é abordado com foco na exposição dos tipos do interruptor de GaN e suas características físicas. É explicado o funci...
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| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Associação Brasileira de Eletrônica de Potência
2025-07-01
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| Series: | Eletrônica de Potência |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://journal.sobraep.org.br/index.php/rep/article/view/1033 |
| Tags: |
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