THE PHOTOLUMINESCENCE AND DARK CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURES WITH InAs QUANTUM DOTS
The simulation of the photoluminescence and dark current-voltage characteristics of heterostructures with a single layer of quantum dots. The presence of the peak quantum transitions in the main points at 1,2 eV (modeling) and 1,12 eV (experimental). The experimental peak has a greater width (0,13 e...
Saved in:
| Main Authors: | Leonid Lunin, Eduard Blokhin, Alexander Pashchenko |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
North Caucasus Federal University
2022-05-01
|
| Series: | Вестник Северо-Кавказского федерального университета |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://vestnikskfu.elpub.ru/jour/article/view/1004 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION
by: T. T. Trung, et al.
Published: (2019-06-01) -
Моделирование dI/dV-характеристик слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме
by: D.M. Sergeyev
Published: (2016-06-01) -
Об одной модели многократного андреевского отражения в интерфейсе «сверхпроводник – углеродная нанотрубка»
by: Д.М. Сергеев
Published: (2023-11-01) -
О резонансном туннелировании квазичастиц через наноконтакт «алюминий – оксид алюминия – алюминий» при низких температурах
by: D.M. Sergeyev, et al.
Published: (2017-06-01) -
Влияние дефектов Стоуна-Уэльса на электрические характеристики одностенной углеродной нанотрубки (9,0)
by: D.M. Sergeyev
Published: (2018-06-01)