Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових це...
Saved in:
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2013-05-01
|
| Series: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Online Access: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|