Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових це...
Saved in:
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine
2013-05-01
|
| Series: | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| Online Access: | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| _version_ | 1849422269718200320 |
|---|---|
| author | P. V. Galiy T. N. Nenchuk O. Ya. Tuziak I. R. Jarovets |
| author_facet | P. V. Galiy T. N. Nenchuk O. Ya. Tuziak I. R. Jarovets |
| author_sort | P. V. Galiy |
| collection | DOAJ |
| description | Для кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових центрів забарвлення, які відіграють визначальну роль у термостимульованій екзолектронній емісії кристала СsI у широкому діапазоні потужностей й поглинутих доз електронного і ультрафіолетового опромінення. Показано, що метод екзоелектронної емісійної спектроскопії радіаційно-збуджених кристалів CsI придатний для реєстрації початкових стадій дефектоутворення на поверхні, присутності домішок у цих кристалах, а також для порівняння радіаційної стійкості кристалів. Оцінені критичні потужності і поглинуті дози опромінення при кімнатних температурах, що приводять до деструкції поверхні, накопичення дефектів у кристалах та радіаційного руйнування їх поверхонь з можливим виділенням фази однієї з їх компонент. |
| format | Article |
| id | doaj-art-8bfb495100b74e9381ba7b2c2c5c8e0d |
| institution | Kabale University |
| issn | 2079-1704 2518-1238 |
| language | English |
| publishDate | 2013-05-01 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of Ukraine |
| record_format | Article |
| series | Хімія, фізика та технологія поверхні |
| spelling | doaj-art-8bfb495100b74e9381ba7b2c2c5c8e0d2025-08-20T03:31:10ZengChuiko Institute of Surface Chemistry of NAS of UkraineХімія, фізика та технологія поверхні2079-17042518-12382013-05-0142Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsIP. V. Galiy0T. N. Nenchuk1O. Ya. Tuziak2I. R. Jarovets3Львівський національний університет імені Івана ФранкаЛьвівський національний університет імені Івана ФранкаЛьвівський національний університет імені Івана ФранкаЛьвівський національний університет імені Івана ФранкаДля кристалів номінально чистого та легованого йодиду цезію досліджено взаємозв’язок радіаційного накопичення дефектів поверхні та приповерхневого шару кристалу, їх «агрегатного» стану з явищем термостимульованої екзоелектронної емісії. Визначено типи радіаційних дефектів – електронних і діркових центрів забарвлення, які відіграють визначальну роль у термостимульованій екзолектронній емісії кристала СsI у широкому діапазоні потужностей й поглинутих доз електронного і ультрафіолетового опромінення. Показано, що метод екзоелектронної емісійної спектроскопії радіаційно-збуджених кристалів CsI придатний для реєстрації початкових стадій дефектоутворення на поверхні, присутності домішок у цих кристалах, а також для порівняння радіаційної стійкості кристалів. Оцінені критичні потужності і поглинуті дози опромінення при кімнатних температурах, що приводять до деструкції поверхні, накопичення дефектів у кристалах та радіаційного руйнування їх поверхонь з можливим виділенням фази однієї з їх компонент.https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 |
| spellingShingle | P. V. Galiy T. N. Nenchuk O. Ya. Tuziak I. R. Jarovets Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI Хімія, фізика та технологія поверхні |
| title | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_full | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_fullStr | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_full_unstemmed | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_short | Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI |
| title_sort | екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів csi |
| url | https://cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/215 |
| work_keys_str_mv | AT pvgaliy ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi AT tnnenchuk ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi AT oyatuziak ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi AT irjarovets ekzoemísíjnaspektroskopíâdefektívopromínenihpoverhonʹkristalívcsi |