VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)

VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)

<p>Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode <em>DC-magnetron sputtering</em>. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325<sup>o</sup>C, 375<sup>o</sup>C, dan 425<sup>o</s...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: S. Sulhadi, F. Fatiatun, P. Marwoto, S. Sugianto, E. Wibowo
Format: Article
Language:English
Published: Universitas Negeri Semarang 2015-01-01
Series:Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia
Subjects:
Temperature Variation, Thin Film ZnO:Ga, Dc Magnetron Sputtering
Online Access:https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JPFI/article/view/4007
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
_version_ 1850220838912000000
author S. Sulhadi
F. Fatiatun
P. Marwoto
S. Sugianto
E. Wibowo
author_facet S. Sulhadi
F. Fatiatun
P. Marwoto
S. Sugianto
E. Wibowo
author_sort S. Sulhadi
collection DOAJ
description <p>Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode <em>DC-magnetron sputtering</em>. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325<sup>o</sup>C, 375<sup>o</sup>C, dan 425<sup>o</sup>C. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325<sup>o</sup> mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375<sup>o</sup> dan 425<sup>o</sup>C. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325<sup>o</sup>C mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375<sup>o</sup> dan 425<sup>o</sup>C. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325<sup>o</sup>C mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ<sup>3</sup> (Ωcm)ˉ<sup>1</sup> pada suhu deposisi 325<sup>o</sup>C. </p><p>Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325<sup>o</sup>C,  375<sup>o</sup>C and 425<sup>o</sup>C by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325<sup>o</sup>C have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325<sup>o</sup>C has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325<sup>o</sup>C has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ<sup>3</sup> (Ωcm)ˉ<sup>1</sup> at deposited  325<sup>o</sup>C. </p>
format Article
id doaj-art-7b982401db624fd49cea462fc5dfc07a
institution OA Journals
issn 1693-1246
2355-3812
language English
publishDate 2015-01-01
publisher Universitas Negeri Semarang
record_format Article
series Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia
spelling doaj-art-7b982401db624fd49cea462fc5dfc07a2025-08-20T02:06:54ZengUniversitas Negeri SemarangJurnal Pendidikan Fisika Indonesia1693-12462355-38122015-01-01111939910.15294/jpfi.v11i1.40073410VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)S. Sulhadi0F. Fatiatun1P. Marwoto2S. Sugianto3E. Wibowo4Materials Research Group, Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran Gunungpati Semarang 50229Materials Research Group, Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran Gunungpati Semarang 50229Materials Research Group, Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran Gunungpati Semarang 50229Materials Research Group, Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran Gunungpati Semarang 50229Jurusan Teknik Fisika, Fakultas Teknik Universitas Telkom Jl. Telekomunikasi Terusan Buah Batu, Bandung 40257<p>Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode <em>DC-magnetron sputtering</em>. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325<sup>o</sup>C, 375<sup>o</sup>C, dan 425<sup>o</sup>C. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325<sup>o</sup> mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375<sup>o</sup> dan 425<sup>o</sup>C. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325<sup>o</sup>C mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375<sup>o</sup> dan 425<sup>o</sup>C. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325<sup>o</sup>C mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ<sup>3</sup> (Ωcm)ˉ<sup>1</sup> pada suhu deposisi 325<sup>o</sup>C. </p><p>Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325<sup>o</sup>C,  375<sup>o</sup>C and 425<sup>o</sup>C by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325<sup>o</sup>C have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325<sup>o</sup>C has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325<sup>o</sup>C has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ<sup>3</sup> (Ωcm)ˉ<sup>1</sup> at deposited  325<sup>o</sup>C. </p>https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JPFI/article/view/4007Temperature Variation, Thin Film ZnO:Ga, Dc Magnetron Sputtering
spellingShingle S. Sulhadi
F. Fatiatun
P. Marwoto
S. Sugianto
E. Wibowo
VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia
Temperature Variation, Thin Film ZnO:Ga, Dc Magnetron Sputtering
title VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)
title_full VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)
title_fullStr VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)
title_full_unstemmed VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)
title_short VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA)
title_sort variasi suhu deposisi pada struktur sifat optik dan listrik film tipis seng oksida dengan doping galium zno ga
topic Temperature Variation, Thin Film ZnO:Ga, Dc Magnetron Sputtering
url https://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/JPFI/article/view/4007
work_keys_str_mv AT ssulhadi variasisuhudeposisipadastruktursifatoptikdanlistrikfilmtipissengoksidadengandopinggaliumznoga
AT ffatiatun variasisuhudeposisipadastruktursifatoptikdanlistrikfilmtipissengoksidadengandopinggaliumznoga
AT pmarwoto variasisuhudeposisipadastruktursifatoptikdanlistrikfilmtipissengoksidadengandopinggaliumznoga
AT ssugianto variasisuhudeposisipadastruktursifatoptikdanlistrikfilmtipissengoksidadengandopinggaliumznoga
AT ewibowo variasisuhudeposisipadastruktursifatoptikdanlistrikfilmtipissengoksidadengandopinggaliumznoga

Similar Items