Расчет энергии образования и вероятностей трансформации некоторых собственных дефектов в гексагональном нитриде бора
Гексагональный нитрид бора (h-BN) интересен потенциалом применения в электронике и, в частности, в создании однофотонных источников. В данной работе изучаются некоторые свойства дефектов, а именно вакансии бора (VB) и вакансии азота с антиструктурным дефектом (NBVN) в различных зарядовых состояниях...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Herzen State Pedagogical University of Russia
2024-12-01
|
| Series: | Physics of Complex Systems |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://physcomsys.ru/index.php/physcomsys/article/view/190 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | Гексагональный нитрид бора (h-BN) интересен потенциалом применения в электронике и, в частности, в создании однофотонных источников. В данной работе изучаются некоторые свойства дефектов, а именно вакансии бора (VB) и вакансии азота с антиструктурным дефектом (NBVN) в различных зарядовых состояниях. Рассчитываются методом функционала плотности (DFT) энергии образования дефектов, оцениваются вероятности переходов между ними и вычисляются необходимые для трансформации температуры отжига h-BN.
|
|---|---|
| ISSN: | 2687-153X |