فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی
در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، بهطوری که لایه A دیالکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایهها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختا...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Payame Noor University
2024-10-01
|
| Series: | اپتوالکترونیک |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_11460_8583d0243acd928eece6513ad6810f0a.pdf |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| _version_ | 1849235904959348736 |
|---|---|
| author | ربابه طالب زاده |
| author_facet | ربابه طالب زاده |
| author_sort | ربابه طالب زاده |
| collection | DOAJ |
| description | در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، بهطوری که لایه A دیالکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایهها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل میکند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر میشود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانسهای تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی میتوانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابهجایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی میشوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایهای بدون نقص است. |
| format | Article |
| id | doaj-art-29f64d60e6624cf4bc72b993d2d33b52 |
| institution | Kabale University |
| issn | 2783-1752 2783-2562 |
| language | fas |
| publishDate | 2024-10-01 |
| publisher | Payame Noor University |
| record_format | Article |
| series | اپتوالکترونیک |
| spelling | doaj-art-29f64d60e6624cf4bc72b993d2d33b522025-08-20T04:02:32ZfasPayame Noor Universityاپتوالکترونیک2783-17522783-25622024-10-0171596510.30473/jphys.2024.72105.121011460فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادیربابه طالب زاده0استادیار، گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران.در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، بهطوری که لایه A دیالکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایهها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل میکند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر میشود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانسهای تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی میتوانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابهجایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی میشوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایهای بدون نقص است.https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_11460_8583d0243acd928eece6513ad6810f0a.pdfبلور فوتونیفابری پروفیلترنیمه هادی |
| spellingShingle | ربابه طالب زاده فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی اپتوالکترونیک بلور فوتونی فابری پرو فیلتر نیمه هادی |
| title | فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی |
| title_full | فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی |
| title_fullStr | فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی |
| title_full_unstemmed | فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی |
| title_short | فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی |
| title_sort | فیلتر فابری پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی |
| topic | بلور فوتونی فابری پرو فیلتر نیمه هادی |
| url | https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_11460_8583d0243acd928eece6513ad6810f0a.pdf |
| work_keys_str_mv | AT rbạbhṭạlbzạdh fyltrfạbryprwmbtnybrblwrfwtwnynymhhạdy |