Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля

В статье рассмотрены вопросы использования основных принципов синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля при изучении дисциплины «Физическая электроника». Работа основана на многолетнем опыте преподавания авторами названной дисциплины на кафедре радиофизики и электроники Кара...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: L.V. Chirkova, K.T. Ermaganbetov, L. Tezekbaeva
Format: Article
Language:English
Published: Academician Ye.A. Buketov Karaganda University 2020-06-01
Series:Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы
Subjects:
Online Access:https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/369
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
_version_ 1850147001732169728
author L.V. Chirkova
K.T. Ermaganbetov
L. Tezekbaeva
author_facet L.V. Chirkova
K.T. Ermaganbetov
L. Tezekbaeva
author_sort L.V. Chirkova
collection DOAJ
description В статье рассмотрены вопросы использования основных принципов синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля при изучении дисциплины «Физическая электроника». Работа основана на многолетнем опыте преподавания авторами названной дисциплины на кафедре радиофизики и электроники Карагандинского государственного университета им. академика Е.А. Букетова. Показано, что система «полупроводниковая структура + внешний источник электрической энергии» может рассматриваться как открытая неравновесная термодинамическая система, в которой получают развитие кооперативные процессы стихийной самоорганизации за счет постоянного обмена энергией и веществом. Проанализированы физические процессы в биполярных транзисторах в активном режиме работы. Путем качественного теоретического анализа установлено, что в рассматриваемой системе возникают взаимосодействующие самоорганизующиеся процессы, в результате которых происходит самопроизвольное понижение потенциального барьера в области эмиттерного и повышение аналогичного барьера в области коллекторного переходов; наблюдается самопроизвольная инжекция неосновных носителей заряда в базу, в результате чего происходит самопроизвольное увеличение концентрации неосновных носителей заряда в приграничном с переходом слое базы. Cамопроизвольный перенос носителей заряда через базу к коллектору вызывает самопроизвольное понижение сопротивления коллекторного перехода до сопротивления прямосмещенного эмиттерного перехода и т.д. Все перечисленные выше процессы обусловливают самопроизвольное перераспределение напряжения источника питания, в результате чего мощность на выходе транзистора начинает превышать мощность на его входе, т.е. биполярный транзистор будет усиливать мощность.
format Article
id doaj-art-1bf7e130421941f98e5b95251ec7d9e5
institution OA Journals
issn 2518-7198
2663-5089
language English
publishDate 2020-06-01
publisher Academician Ye.A. Buketov Karaganda University
record_format Article
series Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы
spelling doaj-art-1bf7e130421941f98e5b95251ec7d9e52025-08-20T02:27:42ZengAcademician Ye.A. Buketov Karaganda UniversityҚарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы2518-71982663-50892020-06-0198210.31489/2020ph2/136-142Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиляL.V. ChirkovaK.T. ErmaganbetovL. Tezekbaeva В статье рассмотрены вопросы использования основных принципов синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля при изучении дисциплины «Физическая электроника». Работа основана на многолетнем опыте преподавания авторами названной дисциплины на кафедре радиофизики и электроники Карагандинского государственного университета им. академика Е.А. Букетова. Показано, что система «полупроводниковая структура + внешний источник электрической энергии» может рассматриваться как открытая неравновесная термодинамическая система, в которой получают развитие кооперативные процессы стихийной самоорганизации за счет постоянного обмена энергией и веществом. Проанализированы физические процессы в биполярных транзисторах в активном режиме работы. Путем качественного теоретического анализа установлено, что в рассматриваемой системе возникают взаимосодействующие самоорганизующиеся процессы, в результате которых происходит самопроизвольное понижение потенциального барьера в области эмиттерного и повышение аналогичного барьера в области коллекторного переходов; наблюдается самопроизвольная инжекция неосновных носителей заряда в базу, в результате чего происходит самопроизвольное увеличение концентрации неосновных носителей заряда в приграничном с переходом слое базы. Cамопроизвольный перенос носителей заряда через базу к коллектору вызывает самопроизвольное понижение сопротивления коллекторного перехода до сопротивления прямосмещенного эмиттерного перехода и т.д. Все перечисленные выше процессы обусловливают самопроизвольное перераспределение напряжения источника питания, в результате чего мощность на выходе транзистора начинает превышать мощность на его входе, т.е. биполярный транзистор будет усиливать мощность. https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/369синергетикаоткрытая системаполупроводниковая структурабиполярный транзисторрежимы работытеоретический анализ
spellingShingle L.V. Chirkova
K.T. Ermaganbetov
L. Tezekbaeva
Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы
синергетика
открытая система
полупроводниковая структура
биполярный транзистор
режимы работы
теоретический анализ
title Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
title_full Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
title_fullStr Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
title_full_unstemmed Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
title_short Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
title_sort принципы синергетики в подготовке специалистов физико технического профиля
topic синергетика
открытая система
полупроводниковая структура
биполярный транзистор
режимы работы
теоретический анализ
url https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/369
work_keys_str_mv AT lvchirkova principysinergetikivpodgotovkespecialistovfizikotehničeskogoprofilâ
AT ktermaganbetov principysinergetikivpodgotovkespecialistovfizikotehničeskogoprofilâ
AT ltezekbaeva principysinergetikivpodgotovkespecialistovfizikotehničeskogoprofilâ