Принципы синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля
В статье рассмотрены вопросы использования основных принципов синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля при изучении дисциплины «Физическая электроника». Работа основана на многолетнем опыте преподавания авторами названной дисциплины на кафедре радиофизики и электроники Кара...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Academician Ye.A. Buketov Karaganda University
2020-06-01
|
| Series: | Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/369 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | В статье рассмотрены вопросы использования основных принципов синергетики в подготовке специалистов физико-технического профиля при изучении дисциплины «Физическая электроника». Работа основана на многолетнем опыте преподавания авторами названной дисциплины на кафедре радиофизики и электроники Карагандинского государственного университета им. академика Е.А. Букетова. Показано, что система «полупроводниковая структура + внешний источник электрической энергии» может рассматриваться как открытая неравновесная термодинамическая система, в которой получают развитие кооперативные процессы стихийной самоорганизации за счет постоянного обмена энергией и веществом. Проанализированы физические процессы в биполярных транзисторах в активном режиме работы. Путем качественного теоретического анализа установлено, что в рассматриваемой системе возникают взаимосодействующие самоорганизующиеся процессы, в результате которых происходит самопроизвольное понижение потенциального барьера в области эмиттерного и повышение аналогичного барьера в области коллекторного переходов; наблюдается самопроизвольная инжекция неосновных носителей заряда в базу, в результате чего происходит самопроизвольное увеличение концентрации неосновных носителей заряда в приграничном с переходом слое базы. Cамопроизвольный перенос носителей заряда через базу к коллектору вызывает самопроизвольное понижение сопротивления коллекторного перехода до сопротивления прямосмещенного эмиттерного перехода и т.д. Все перечисленные выше процессы обусловливают самопроизвольное перераспределение напряжения источника питания, в результате чего мощность на выходе транзистора начинает превышать мощность на его входе, т.е. биполярный транзистор будет усиливать мощность.
|
|---|---|
| ISSN: | 2518-7198 2663-5089 |