مطالعه نانومیلههای اکسید روی خالص و دوپ شده با نیکل به روش لایه نشانی لیزر پالسی
در این مقاله، نانوساختار میلهای شکل اکسید روی اولیه و دوپ شده با ذرات نیکل روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگیهای مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونهها با تکنیکهای مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان میدهد که نانومیلهها در جهتهای کاتورهای...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Payame Noor University
2024-12-01
|
| Series: | اپتوالکترونیک |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_11495_22c6515b216769597882795b0e5dc81b.pdf |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | در این مقاله، نانوساختار میلهای شکل اکسید روی اولیه و دوپ شده با ذرات نیکل روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگیهای مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونهها با تکنیکهای مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان میدهد که نانومیلهها در جهتهای کاتورهای رشد یافتهاند. ویژگیهای اپتیکی مانند، میزان عبور نور، شکاف باند و فوتولومینسانس نمونهها انجام شد. افزایش شکاف باند از 18/3 به 26/3 الکترون ولت و همچنین افزایش میزان عبور نور در نمودار اکسید روی دوپ شده با نیکل مشاهده میشود.
طیف فوتولومینسانس (PL) نمونهها برای مطالعه عیوب در ساختارهای رشد داده شده، انجام گرفت. در طیف PL نمونهها، دو قله 410 و 482 نانومتر نمایان است، که میتواند ناشی از تهی جای اکسیژن باشد. همچنین، عیوبی مانند تهی جای اکسیژن با توجه به قلههای نمودار رمان (raman)، قابل مشاهده است. در نمودار رسانندگی بر حسب دما، برای دماهای بالای 300 درجه سانتیگراد، افزایش رسانندگی و حاملهای بار قابل توجه است.
نتایج نشان میدهد که اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل، ویژگیهای اپتیکی ZNO را افزایش داده و کاندیدای مناسبی برای کاربردهای اپتیکی - الکتریکی است. |
|---|---|
| ISSN: | 2783-1752 2783-2562 |