Дифрактометрические исследования особенностей формирования слоев GaN на подложках кремния методом МПЭ ПА без использования процедуры нитридизации подложки и промежуточного AlN зародышевого слоя - Павел Владимирович Середин; Ольга Константиновна Кошелева; Дмитрий Леонидович Голощапов; Никита Сергеевич Буйлов; Ярослав Анатольевич Пешков; Андрей Михайлович Мизеров; Сергей Николаевич Тимошнев; Максим Сергеевич Соболев; Шукрилло Шамсидинович Шарофидинов (Конденсированные среды и межфазные границы)
Цель статьи: В работе дано представление о структурных особенностях роста GaN слоев, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках кремния, без использования процедуры нитридизации подложки, а также формирования промежуточного алюминийсодержащего слоя.